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J-GLOBAL ID：200903052581631117
ウェットエッチング方法及びウェット洗浄方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
吉原 省三 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992356537
Publication number (International publication number)：1994196472
Application date： Dec. 22, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 ウェットエッチング或いは洗浄時のパターン倒れを防止するもので、特に密集した微細なパターン、或いは高アスペクトなパターンを倒すことなく、洗浄が行え歩留りの高い製品を得られる。【構成】 ポリシリコンの微細パターン4a、4bが形成し、その上にSiO2被エッチング膜2が形成され、その一部にレジストパターン3が形成されたSi基板1を用意する。膜2をフッ酸水でエッチングして水で基板1表面をリンスする。更に基板1上のリンス液をイソプロピルアルコールに置換する。その後冷却し、内部にドライアイスを満たしておいた圧力容器5内に試料を入れて急速加熱、加圧してイソプロピルアルコールは液状のCO2に置換される。更に臨界点にもってゆき、CO2をガス状にし乾燥を終了する。
Claim (excerpt)：
エッチング液を用いてエッチングを行い、該エッチング液を乾燥するウェットエッチング方法において、エッチング液の乾燥時に、該エッチング液又はこのエッチング液の置換液を臨界状態にして乾燥させることを特徴とするウェットエッチング方法。
IPC (3)：
H01L 21/306
, H01L 21/304 351
, H01L 21/308
