露光方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大森聡
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993254019
Publication number (International publication number)：1995111233
Application date： Oct. 12, 1993
Publication date： Apr. 25, 1995
Summary：

【要約】【目的】ウエハ上の露光対象とするショット領域内の最も正確に合焦させたい領域を投影光学系の結像面に合焦する。【構成】ウエハ上の露光ショット48のショットセンターに、焦点位置検出系からスリットパターン像49を投影して、そのショットセンターのフォーカス位置を求める。フォーカス位置をロックした状態で、合焦させたい領域50を通過する計測ライン51に沿ってスリットパターン像52を走査し、領域50でのフォーカス位置とショットセンターでのフォーカス位置とのオフセットΔFOFを求め、そのオフセットΔFOFの補正を行ってオートフォーカス機構を動作させて、露光ショット48にレチクルのパターンを露光する。

Claim (excerpt)：

転写用のパターンが形成されたマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターン像を感光性の基板上のショット領域に投影する投影光学系と、前記基板を保持して前記基板を前記投影光学系の光軸にほぼ垂直な平面内で位置決めすると共に前記基板の前記光軸方向の高さを調整する基板ステージと、前記投影光学系の露光フィールド内の所定の計測点で前記基板の露光面と前記投影光学系の結像面との高さの差分である焦点ずれ量を検出する焦点位置検出手段とを有し、該焦点位置検出手段で検出された焦点ずれ量に基づいて前記基板ステージを介して前記基板の高さを調整した後に前記ショット領域に前記マスクのパターン像を露光する方法において、前記基板ステージを介して前記基板の前記ショット領域を前記投影光学系の露光フィールド内の露光位置に設定した状態で、前記焦点位置検出手段により前記基板の焦点ずれ量を検出する第1工程と、前記基板ステージで設定する前記基板の高さを前記第1工程で設定された高さに固定した状態で前記基板ステージを介して前記基板を走査することにより、前記基板上の前記ショット領域内で投影されるパターン像の線幅が最も狭い領域を通過する計測ライン上の焦点ずれ量の分布を前記焦点位置検出手段で検出する第2工程と、前記第1工程で検出された焦点ずれ量と前記第2工程で検出された焦点ずれ量の分布とより、前記ショット領域を露光位置に設定した状態で検出される焦点ずれ量と前記ショット領域に投影されるパターン像の線幅が最も狭い領域の焦点ずれ量とのオフセットを求める第3工程と、前記ショット領域を露光位置に設定し、前記焦点位置検出手段で検出された焦点ずれ量に前記第3工程で求めたオフセットを補正して得られた値に基づいて前記基板ステージを介して前記基板の高さを調整した後、前記ショット領域に前記マスクのパターン像を露光する第4工程と、を有することを特徴とする露光方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 , G03B 27/32 , G03F 7/207

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開平2-102518
特開平3-003317
半導体露光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-236909 Applicant：キヤノン株式会社

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