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J-GLOBAL ID：200903052612289730

半導体装置

Inventor： 山下 博之 ,  堀尾 裕磨 ,  神村 直樹 ,  星 俊治
Applicant, Patent owner： ヤマハ株式会社
Agent (1)： 伊丹 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995019750
Publication number (International publication number)：1996070070
Application date： Jan. 12, 1995
Publication date： Mar. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 簡単な構造で且つ、半導体素子チップの高い冷却効率を実現した半導体装置を提供する。【構成】 リードフレーム1上に熱伝導性の高い絶縁膜3が形成され、この絶縁膜3上にペルチェ効果素子5が形成され、このペルチェ効果素子5の上に更に熱伝導性の高い絶縁膜4が形成されて、この上にLSIチップ6が搭載される。

Claim (excerpt)：

リードフレーム上に熱伝導性の高い絶縁膜が形成され、この絶縁膜上にペルチェ効果素子を介して半導体素子チップが搭載されていることを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-246981   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体光検出装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-043940   Applicant：浜松ホトニクス株式会社