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J-GLOBAL ID：200903052614857302

スパッタリング用ターゲットおよびそれを用いたスパッタリング装置とスパッタリング法

Inventor： 保坂 真弥 ,  丹羽 秀夫 ,  山田 直樹 ,  細田 勉 ,  富樫 光浩
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993178900
Publication number (International publication number)：1994136527
Application date： Jul. 20, 1993
Publication date： May. 17, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ULSI装置の配線等を形成するためのスパッタリング用ターゲットおよびそれを用いたスパッタリング装置とスパッタリング法に関し、微細な開口内にも被覆性よく安定にスパッタ膜を形成する手段を提供する。【構成】 ターゲット本体1とその前面に配置された隔壁状のコリメータ2を電気的に接続するか、一体に形成する。この場合、コリメータ2のアスペクト比を1以上にし、あるいは、コリメータ2のアスペクト比を1以上にすると同時にスパッタリング圧力を10-3Torr未満にして、ターゲット本体1の表面から放出され、ウェハ5に入射するスパッタ粒子の入射角を調節して、ウェハ5の微細な開口内に被覆性よく、安定にターゲット本体1の材料からなるスパッタ膜を形成する。コリメータ2を構成する板状体を傾斜させてスパッタ粒子に方向性を与え、コリメータ2をスパッタ空間に出し入れして、カバレージと堆積速度を改善することができる。

Claim (excerpt)：

ターゲット本体とコリメータが電気的に接続されていることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。

IPC (3)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285