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J-GLOBAL ID：200903052653299597

窒化物半導体レーザ素子

Inventor： 松本 秀俊 ,  矢野 振一郎 ,  樋渡 竜也
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998215243
Publication number (International publication number)：2000049415
Application date： Jul. 30, 1998
Publication date： Feb. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】 支持体に段差調整用の絶縁膜やリード電極を形成することなく、あるいは、エッチングにより支持体に段差を形成することなく、レーザ出射位置が一定になり、しかも放熱効果の優れた信頼性の高い窒化物半導体レーザ素子を提供することを目的とする。【解決手段】 基板1にn型コンタクト層2、p型コンタクト層3、絶縁物層4を含む窒化物半導体層を積層し、積層体の一部を除去してn型コンタクト層2を露出させた溝10の両側の絶縁物層4の上部に、一端をn型コンタクト層2に接続した負電極8と正電極7を配置したレーザチップ5を、第1の導電性部材41と第2の導電性部材42が絶縁部材43で分割され、同一高さの平面を有する構成の支持体45にフェイスダウン方式で導電性接着剤44を介してボンディングしている。

Claim (excerpt)：

基板にn型コンタクト層とp型コンタクト層を含む窒化物半導体層を積層し、同積層体の上面に正電極と負電極を配置したレーザチップを支持体にフェイスダウンでボンディングした窒化物半導体レーザ素子であって、前記正電極と負電極とを前記基板から同一距離の前記積層体上面に配置したことを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 5/30 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

F-Term (28)：

5F041AA11 ,  5F041AA33 ,  5F041AA43 ,  5F041CA22 ,  5F041CA34 ,  5F041CA46 ,  5F041CA75 ,  5F041CA93 ,  5F041DA02 ,  5F041DA07 ,  5F041DA19 ,  5F041DA25 ,  5F041DA32 ,  5F041DA33 ,  5F073AA89 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB22 ,  5F073CB23 ,  5F073DA21 ,  5F073EA07 ,  5F073EA28 ,  5F073FA13 ,  5F073FA14 ,  5F073FA15 ,  5F073FA18 ,  5F073FA22 ,  5F073FA27