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J-GLOBAL ID：200903052669248216
プラズマプロセス装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993119515
Publication number (International publication number)：1994333844
Application date： May. 21, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：
【要約】【構成】マイクロ波入射端に真空仕切を兼ねたマイクロ波入射窓を配置し、このマイクロ波入射端から試料方向に管壁の口径が基本導波管より拡がった金属容器1を設け、金属容器1内に数枚の金属製の仕切り板6を設けて、金属容器内を数個の空間8に分け、かつ金属製の仕切り板の位置,間隔を任意に変えられる調整手段を備え、仕切り板6によりマイクロ波強度分布を任意に変化させた後、マイクロ波をプラズマ生成室に導入し、電子サイクロトロン共鳴によりプラズマを大面積で板状に試料12前面に生成する。【効果】試料の均一処理が可能になり、加工する試料の特性に合わせたプラズマを発生することができる。
Claim (excerpt)：
放電ガスが導入され、プラズマを生成するプラズマ生成室と、前記プラズマ生成室に磁場を発生する磁場発生手段と前記プラズマ生成室にマイクロ波を導入する際に真空仕切された導波管を介して矩形状金属容器を設け、先端部の開口径を拡げたマイクロ波導入手段と、前記マイクロ波と前記プラズマ生成室内の磁場の共鳴作用により生成したマイクロ波放電プラズマを利用し、前記プラズマ生成室内に設置された試料をプラズマ処理する手段を備えたプラズマプロセス装置において、前記真空仕切された矩形状金属容器内に、数枚の金属性の仕切り板を設け、前記矩形状金属容器内を数個の空間に仕切り、前記金属性の仕切り板の位置,間隔を任意に変えられる制御手段を設け、各空間の出口のマイクロ波出力を任意に制御することにより、前記プラズマ生成室に導入されるマイクロ波強度分布を可変とし、前記試料の近傍に任意の分布でプラズマを発生させることを特徴とするプラズマプロセス装置。
IPC (5)：
H01L 21/205
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/302
, H05H 1/46
