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J-GLOBAL ID：200903052681115400

位相差マスクの凸状欠陥の除去方法

Inventor： 大塚 博 ,  小野寺 俊雄 ,  桑原 和幸
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995130833
Publication number (International publication number)：1996328239
Application date： May. 29, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 凸状欠陥近傍、凸状欠陥下側および凸状欠陥周辺のマスク部分に損傷を与えることなく、凸状欠陥を除去する方法を提供すること、または凸状欠陥のみを正確に除去すること。【構成】 凸状欠陥14が、凹凸を有するマスク基板10の凹領域に生じている位相差マスク100の上側の全表面を覆う保護膜22を形成する。保護膜22として、収束イオンビーム照射時の除去速度が凸状欠陥14の除去速度に近いものを用いた。その後、収束イオンビームを被照射領域に向けて、保護膜側から照射して収束イオンビームの被照射領域24の部分を除去する。そして、凸状欠陥の周辺の保護膜部分22aが除去された時点で収束イオンビームの照射を終了する。

Claim (excerpt)：

位相差マスクの上側表面上に生じた凸状欠陥を収束イオンビームを用いて除去するに当り、前記マスクの上側の全表面を覆う保護膜を形成する工程と、その後、収束イオンビームを前記欠陥およびその周辺を含む領域に向けて前記保護膜側から照射して前記収束イオンビームの被照射領域部分を除去する工程と、前記欠陥が除去された時点で前記収束イオンビームの照射を終了する工程とを含むことを特徴とする位相差マスクの凸状欠陥の除去方法。

IPC (3)：

G03F 1/08 ,  G03F 1/14 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 1/08 V ,  G03F 1/14 E ,  H01L 21/30 502 W