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J-GLOBAL ID：200903052688752162

半導体素子のオンオフ制御回路

Inventor： 熊谷 直樹
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994090397
Publication number (International publication number)：1995297698
Application date： Apr. 28, 1994
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】高圧側の半導体素子1を低電位側LSのオンオフ指令S1に応じて動作させるオンオフ制御回路に組み込む高耐圧トランジスタの個数を減少させて制御回路のチップサイズを縮小する。【構成】高圧側の半導体素子1ごとに高電位側HSと低電位側LSの間に単一の電流路10を設け、この電流路10に電流を流す低電位側LSのスイッチ手段20によりオンオフ指令S1のオンまたはオフの指定状態に応じて電流の流し方を異ならせ、高電位側HSの電流検出手段30により電流路10に流れる電流の検出信号Sdを作り、かつ変換手段HSによりこの検出信号Sdが電流の流れ方に応じて変化する様子からオンオフ指令S1によるオンやオフの指定状態を互いに区別しながら高電圧側HSでオンオフ指令S1H を再生することにより、スイッチング手段20内の電流制御用の高耐圧トランジスタ22の個数を従来の半分に減少させる。

Claim (excerpt)：

高電位側の半導体素子を低電位側のオンオフ指令に応じて動作させる制御回路であって、オンオフ動作させるべき半導体素子ごとに高電位側と低電位側の間に設けられた単一の電流路と、オンオフ指令に応じて電流路に流す電流を低電位側で制御するスイッチング手段と、電流路の電流を高電位側で検出する電流検出手段と、この電流検出手段による検出信号を半導体素子を駆動するための高電位側のオンオフ指令に変換する変換手段とを備えてなり、低電位側のオンオフ指令による指定状態に応じてスイッチング手段により電流路中の電流の流し方を異ならせ、変換手段によりこの電流に応じて変化する検出信号からオン指定状態とオフ指定状態とを区別しながら検出信号を高電位側のオンオフ指令に変換するようにしたことを特徴とする半導体素子のオンオフ制御回路。

IPC (5)：

H03K 17/687 ,  H02M 1/08 ,  H02M 7/5387 ,  H03K 17/66 ,  H03K 17/73

FI (2)：

H03K 17/687 F ,  H03K 17/73 E