半導体デバイスの製造方法及び処理方法並びにヘリコン波プラズマ型イオン源及び集束イオンビーム装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996308319
Publication number (International publication number)：1998149788
Application date： Nov. 19, 1996
Publication date： Jun. 02, 1998
Summary：

【要約】【課題】半導体デバイス等の試料の電気的特性に悪影響を与えずに加工、観察ができ、しかも加工速度の向上、チャージアップの防止や選択比の向上を可能とする改良がなされた集束イオンビーム装置並びに処理方法および半導体デバイスの製造方法を実現する。【解決手段】ヘリコン波プラズマイオン源100からイオンビームの電流密度を増加し、半導体デバイス等の試料の電気的特性に悪影響を与えないイオンを引き出し、集束レンズ7および対物レンズ14で集束イオンビームとして半導体デバイス等の試料を加工、検査、観察等の処理をする。

Claim (excerpt)：

ヘリコン波を励起してガスをプラズマ化してイオンビームを出射するヘリコン波プラズマ型イオン源と、該ヘリコン波プラズマ型イオン源から出射されたイオンビームを集束する静電光学系とを備えたことを特徴とする集束イオンビーム装置。

IPC (4)：

H01J 37/08 , H01J 27/16 , H01J 37/317 , H01L 21/3065

FI (4)：

H01J 37/08 , H01J 27/16 , H01J 37/317 D , H01L 21/302 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

検査方法およびその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-131689 Applicant：株式会社日立製作所
プラズマ源
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-314157 Applicant：日本真空技術株式会社
プラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-319358 Applicant：アネルバ株式会社

Show all

Return to Previous Page