Pat
J-GLOBAL ID：200903052718920499
トレンチ素子分離構造の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992203667
Publication number (International publication number)：1994177239
Application date： Jul. 30, 1992
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：
【要約】【目的】 トレンチ素子分離構造の製造方法に関する。頂上部に窪みの無い酸化膜の埋め込みを行うことで、トランジスタの逆狭チャンネル効果を防止する。【構成】 ゲート酸化膜2、ゲートポリシリコン3、キャップ酸化膜4を順に形成した後素子分離領域となる部分のこれらの膜のエッチング及びSi基板1のテーパー形状のトレンチエッチングを行う。次にCVDで不純物を添加しない酸化膜10をトレンチの幅の1/2以上の膜厚で堆積する。酸化膜10をエッチバックしゲートポリシリコン表面を露出させる。この上にゲート配線層を堆積しゲートポリシリコン3とともに加工しゲート電極を形成しトレンチ分離構造は完成する。従来必要であったトレンチ側壁へのイオン注入を行わないで、逆狭チャネル効果を抑制できる。同時に、イオン注入量の増大による接合リーク電流、接合容量の増大が抑制できる。
Claim (excerpt)：
半導体上に絶縁膜とゲートまたはダミーゲートを順に形成する工程と、素子分離領域上の前記ゲートまたはダミーゲートと絶縁膜をエッチングする工程と、素子分離領域の半導体をエッチングしてテーパー形状のトレンチを開孔する工程、前記トレンチにその幅の半分以上の厚さの絶縁膜を堆積して埋め込む工程と、前記ゲートまたはダミーゲート上の絶縁膜をエッチバックして取り除くことを特徴とするトレンチ素子分離構造の製造方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
