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J-GLOBAL ID：200903052720750401
多結晶半導体の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大胡 典夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998155889
Publication number (International publication number)：1999354801
Application date： Jun. 04, 1998
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：
【要約】【課題】 非晶質シリコンをレーザアニールにより結晶化して形成される多結晶シリコン膜表面の突起の発生を防止し、多結晶シリコンTFTのゲート絶縁耐圧を向上し、表示品位の高い液晶表示素子の実用化を図る。【解決手段】 非晶質シリコン膜14を、オゾン(O3 )を含む溶液にて洗浄して酸化膜16を形成後、非晶質シリコン膜14に滴下した純水17の非晶質シリコン膜14との接触角θが60°以上の、酸化膜や不純物が完全に除去された状態に成るまで、酸化膜16及び不純物を弗酸水(HF)で同時に洗浄除去する。そして非晶質シリコン膜14表面の酸化膜や不純物が完全に除去された後に、非晶質シリコン膜14をレーザアニールにより結晶化して多結晶シリコンを得る。
Claim (excerpt)：
基板上に堆積される非晶質シリコンにレーザ光を照射して結晶化する多結晶半導体の製造方法において、前記基板上に非晶質シリコン膜を形成する工程と、前記非晶質シリコン膜表面を酸化して酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜除去後の表面に純水を滴下した時の前記表面に対する前記純水の接触角が60度以上に成るよう前記酸化膜を除去する工程と、前記酸化膜除去後の前記非晶質シリコン膜に前記レーザ光を照射して前記非晶質シリコン膜を結晶化する工程とを具備する事を特徴とする多結晶半導体の製造方法。
IPC (3)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/20
H01L 29/78 627 G
, H01L 21/20
, H01L 29/78 627 Z
