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J-GLOBAL ID:200903052726490231

ポジ型フオトレジスト組成物

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993263694
Publication number (International publication number):1995120916
Application date: Oct. 21, 1993
Publication date: May. 12, 1995
Summary:
【要約】【目的】 特に半導体デバイスの製造において、高解像力、フオトマスク線幅の広い範囲にわたってマスク寸法の高再現性、高アスペクト比を有する断面形状、断面の側壁が垂直に近い形状、広い現像ラチチユード、高耐熱性、良好な保存安定性、を有するポジ型フォトレジスト組成物を提供する。【構成】 下記一般式(I)で表されるポリヒドロキシ化合物の1,2-ナフトキノンジアジド-5-(及び/又は-4-)スルホン酸エステルとアルカリ可溶性樹脂を含有することを特徴とするポジ型フオトレジスト組成物。【化1】
Claim (excerpt):
下記一般式(I)で表されるポリヒドロキシ化合物の1,2-ナフトキノンジアジド-5-(及び/又は-4-)スルホン酸エステルとアルカリ可溶性樹脂を含有することを特徴とするポジ型フオトレジスト組成物。【化1】ここで、R1〜R8:同一でも異なっても良く、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アシル基、アルケニル基、ニトロ基もしくはシアノ基、R9〜R12:同一でも異なっても良く、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アシル基、アルケニル基、ニトロ基もしくはシアノ基、A:-O-,-S-,-SO-,-SO2-,-SO3-,-NH-,-SO2-NH-,単結合もしくは【化2】R13〜R14:同一でも異なっても良く、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基もしくはアルコキシ基、n:4もしくは5、を表す。
IPC (2):
G03F 7/022 ,  H01L 21/027

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