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J-GLOBAL ID：200903052727775507

エラストマートランスデューサーおよび誘電性ゴム組成物ならびに発電素子

Inventor： 花谷 尚子 ,  志熊 純一 ,  外尾 道太 ,  横内 敦
Applicant, Patent owner： 日本精工株式会社
Agent (3)： 森 哲也 ,  内藤 嘉昭 ,  崔 秀▲てつ▼
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009042753
Publication number (International publication number)：2009232677
Application date： Feb. 25, 2009
Publication date： Oct. 08, 2009
Summary：

【課題】優れた耐久性とトランスデューサー性能を発揮できる新規なエラストマートランスデューサーおよび誘電性ゴム組成物ならびに発電素子の提供。 【解決手段】一対の電極層10,10間に中間層20を介装してなるエラストマートランスデューサー100であって、前記電極層10,10をベースゴムに導電性フィラーを含有した導電性ゴム組成物で構成すると共に、前記中間層20をベースゴムに誘電性フィラーを含有した誘電性ゴム組成物で構成する。これによって、優れた変形能を有し、ひずみなどの繰り返し応力に対して優れた耐久性を発揮できると共に、優れたトランスデューサー性能を発揮できる。 【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

一対の電極層間に中間層を介装してなるエラストマートランスデューサーであって、

IPC (3)：

H02N 2/00 ,  C08L 21/00 ,  C08K 5/36

FI (3)：

H02N2/00 Z ,  C08L21/00 ,  C08K5/36

F-Term (14)：

4J002AC091 ,  4J002BB151 ,  4J002BB181 ,  4J002BD121 ,  4J002BG041 ,  4J002CK021 ,  4J002CN021 ,  4J002CP031 ,  4J002EV006 ,  4J002EV086 ,  4J002EV126 ,  4J002EV146 ,  4J002FD016 ,  4J002GQ00