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J-GLOBAL ID：200903052732435102

光電変換装置とその製造方法

Inventor： 室園 幹夫 ,  廣嶋 義光 ,  大前 智史
Applicant, Patent owner： 株式会社クリーンベンチャー二十一
Agent (2)： 石井 和郎 ,  河崎 眞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002216649
Publication number (International publication number)：2004063564
Application date： Jul. 25, 2002
Publication date： Feb. 26, 2004
Summary：

【課題】球状の光電変換素子および前記素子を配置する凹部を多数有する支持体からなる光電変換装置において、素子の電極部と支持体の導電体層との電気的接続部を改良して、高性能かつ高品質の光電変換装置を提供する。【解決手段】球状第1半導体表面の第2半導体層を開口して第1半導体の一部を露出させ、第1半導体露出部および第2半導体層外周部にそれぞれ内部電極を形成する。一方、底部に接続孔を設けた複数の凹部を有し、接続孔を有する電気絶縁体層および接続孔とその周縁部を残して凹部内に形成された第2導電体層からなる支持体を用意する。次いで第2半導体層開口部と第1半導体露出部が接続孔周縁部に接するように光電変換素子を凹部内に配置し、好ましくは接合部を溶着する。次いで各内部電極を対応する導電体層に半田付けなどで接続する。【選択図】 図16

Claim (excerpt)：

(1)球状の第1半導体およびその表面を被覆する第2半導体層からなり、第2半導体層が第1半導体の一部を露出させる開口部を有する複数のほぼ球状の光電変換素子を用意する工程、(2)前記光電変換素子の第1半導体の露出部に第1内部電極を形成する工程、(3)前記光電変換素子の第2半導体層の前記開口部に近い外周部に第2内部電極を形成する工程、(4)前記光電変換素子をその内部に配置するための複数の凹部を隣接して設けるとともに前記凹部の底部に接続孔を設けた支持体であって、前記接続孔を有する電気絶縁体層、および前記接続孔とその周縁部を除く領域の前記凹部内に形成された第2導電体層からなる支持体を用意する工程、(5)前記支持体の凹部内に、前記光電変換素子の第2半導体層の開口部および第1半導体の露出部の周縁部が前記電気絶縁体層の接続孔の周縁部に接するように配置する工程、(6)前記光電変換素子の第2内部電極を前記支持体の第2導電体層に電気的に接続する工程、および(7)前記支持体の背面に配した第1導電体層と前記光電変換素子の第1内部電極を前記接続孔を通して電気的に接続する工程を有することを特徴とする光電変換装置の製造方法。

IPC (1)：

H01L31/04

FI (1)：

H01L31/04 A

F-Term (13)：

5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051AA16 ,  5F051CB01 ,  5F051DA01 ,  5F051DA03 ,  5F051FA06 ,  5F051FA10 ,  5F051FA16 ,  5F051GA02 ,  5F051GA03 ,  5F051GA06 ,  5F051GA11