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J-GLOBAL ID：200903052738319333

化合物半導体の結晶成長方法、量子井戸構造、及び化合物半導体装置

Inventor：
高橋 幸司

About 高橋 幸司


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999369298
Publication number (International publication number)：2001185497
Application date： Dec. 27, 1999
Publication date： Jul. 06, 2001
Summary：
【要約】【課題】 半導体基板にIII-(N、V)族化合物半導体結晶を成長させる際、界面における窒素のパイルアップの抑制、界面非発光準位の低減、界面付近の窒素組成の均一化を図る。【解決手段】 第一のIII-V族化合物半導体の上方に、少なくとも一種類の窒素以外のV族元素と窒素とを共にV族組成として含む第二のIII-V族化合物半導体を結晶成長する方法において、該第一のIII-V族化合物半導体上に、前記第二のIII-V族化合物半導体の窒素原料に対する反応性を制御する第三のIII-V族化合物半導体からなる中間層を形成した後、引き続いて第二の化合物半導体を形成してなる。
Claim (excerpt)：
第一のIII-V族化合物半導体の上方に、少なくとも一種類の窒素以外のV族元素と窒素とを共にV族組成として含む第二のIII-V族化合物半導体を結晶成長する方法において、該第一のIII-V族化合物半導体上に、前記第二のIII-V族化合物半導体の窒素原料に対する反応性を制御する第三のIII-V族化合物半導体からなる中間層を形成した後、引き続いて第二の化合物半導体を形成してなることを特徴とする化合物半導体の結晶成長方法。
IPC (5)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (5)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 H ,  H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/343
F-Term (45)：
4G077AA03 ,  4G077BE41 ,  4G077BE42 ,  4G077BE45 ,  4G077BE47 ,  4G077BE48 ,  4G077DA05 ,  4G077DB08 ,  4G077EC03 ,  5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA05 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB19 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AF04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA55 ,  5F045DA65 ,  5F073AA22 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CA17 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA22 ,  5F103AA05 ,  5F103DD05 ,  5F103DD08 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103LL03 ,  5F103RR05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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