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J-GLOBAL ID：200903052747190092

マスクパタ-ン補正システムとその補正方法

Inventor： 橋本 耕治
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999076065
Publication number (International publication number)：2000003028
Application date： Mar. 19, 1999
Publication date： Jan. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】 測定データを用いて、実際の半導体集積回路のパターンを正確且つ高速に補正することが困難であった。【解決手段】 異なる照明条件に基づいて、半導体集積回路の複数のパターンデータの空間イメージシミュレーションを行い(62)、この空間イメージシミュレーションの結果に基づいて、各照明条件におけるパターン・バイアスを算出する(63)。半導体集積回路の複数のパターンデータは実際の回路パターンに対応したCADデータである。照明条件を変えて製造した評価パターンを電気的に測定してパターン・バイアスを求め(66)、このパターン・バイアスがゼロとなる照明条件と同一の照明条件によりシミュレートして求めたパターン・バイアスからマスクパターンの補正値を求める(67)。

Claim (excerpt)：

異なる照明条件において、半導体集積回路の複数のパターンデータの光学像シミュレーションを行い、この光学像シミュレーションの結果に基づいて、前記各照明条件間における前記半導体集積回路の複数のパターン部のパターン寸法差を算出するシミュレータと、前記異なる照明条件において、半導体集積回路の特性を評価するための評価パターンを製造する製造装置と、前記製造装置により製造された前記半導体集積回路の評価パターンの仕上がり寸法を測定する測定装置と、前記測定装置により測定された仕上がり寸法より前記半導体集積回路のそれぞれのパターンにおいてその寸法が所望値となる照明条件を求める第1の演算部と、前記第1の演算部により求めたパターン寸法が所望値となる照明条件におけるパターン寸法と所望の照明条件におけるパターン寸法との差を前記シミュレータにより算出し、その値をマスクパターンの補正値とする第2の演算部とを具備することを特徴とするマスクパターン補正システム。

IPC (4)：

G03F 1/08 ,  G01B 11/02 ,  H01L 21/027 ,  G06F 17/50

FI (4)：

G03F 1/08 A ,  G01B 11/02 Z ,  H01L 21/30 502 P ,  G06F 15/60 658 M