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J-GLOBAL ID：200903052747775708
透明導電性積層体
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996182265
Publication number (International publication number)：1998024520
Application date： Jul. 11, 1996
Publication date： Jan. 27, 1998
Summary：
【要約】【解決手段】 基体50(A)の一方の主面に、少なくとも、実質的にインジウムとスズとの酸化物からなる薄膜層60(B)、金属薄膜層70(C)、実質的にインジウムとスズとの酸化物からなる薄膜層80(D)を、ABCDなる順序で形成した透明導電性積層体において、基体(A)に、一方の面に酸化珪素薄膜12が形成された高分子フィルム10の、該酸化珪素薄膜12が形成された面と、他の高分子フィルム11とを貼り合わせたラミネートフィルム50であることを特徴とする透明導電性積層体。【効果】 抵抗値が低く、水蒸気遮断性を有する透明導電性積層体を提供できる。
Claim (excerpt)：
基体(A)の一方の主面に、少なくとも、実質的にインジウムとスズとの酸化物からなる薄膜層(B)、金属薄膜層(C)、実質的にインジウムとスズとの酸化物からなる薄膜層(D)を、ABCDなる順序で形成した透明導電性積層体において、基体(A)が、少なくとも、一方の面に酸化珪素薄膜が形成された高分子フィルムの該酸化珪素薄膜が形成された面と、他の高分子フィルムとを貼り合わせたラミネートフィルムであることを特徴とする透明導電性積層体。
IPC (7)：
B32B 9/00
, B32B 7/02 103
, B32B 7/02 104
, B32B 15/04
, C23C 14/08
, H01B 5/14
, H05B 33/28
B32B 9/00 A
, B32B 7/02 103
, B32B 7/02 104
, B32B 15/04 Z
, C23C 14/08 D
, H01B 5/14 A
, H05B 33/28
Cited by examiner (8)
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