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J-GLOBAL ID：200903052751307514
光起電力素子及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995177440
Publication number (International publication number)：1997027631
Application date： Jul. 13, 1995
Publication date： Jan. 28, 1997
Summary：
【要約】【目的】 新しいドーピング層の構造及び形成方法を導入することによって、実用に適した低コストで、信頼性が高く、かつ、光電変換効率の高い光起電力素子及びその製造方法を提供する。【構成】 本発明の光起電力素子の製造方法は、p型半導体層及びn型半導体層からなる2つのドーピング層が、i型半導体層を介して積層されたpin型の半導体接合をなす構造体を有し、かつ、少なくとも前記i型半導体層の上に位置する前記ドーピング層Dの結晶形態が非結晶質である光起電力素子の製造方法において、前記ドーピング層Dのバンドギャップを拡大する元素をαとしたとき、前記i型半導体層の上に前記ドーピング層Dを形成した後、前記ドーピング層Dの表面を、前記αを含むプラズマに曝すことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
p型半導体層及びn型半導体層からなる2つのドーピング層が、i型半導体層を介して積層されたpin型の半導体接合をなす構造体を有し、かつ、少なくとも前記i型半導体層の上に位置する前記ドーピング層Dの結晶形態が非単結晶である光起電力素子の製造方法において、前記ドーピング層Dのバンドギャップを拡大する元素をαとしたとき、前記i型半導体層の上に前記ドーピング層Dを形成した後、前記ドーピング層Dの表面を、前記αを含むプラズマに曝すことを特徴とする光起電力素子の製造方法。
FI (3)：
H01L 31/04 N
, H01L 31/04 W
, H01L 31/04 V
