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J-GLOBAL ID：200903052762998500

エンハンスメント型電界効果トランジスタ

Inventor： 井手下 知史
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991323501
Publication number (International publication number)：1993211340
Application date： Dec. 09, 1991
Publication date： Aug. 20, 1993
Summary：

【要約】【目的】 AlGaSb/InAs/AlGaSb系において、超高速・低消費電力エンハンスメント型電界効果トランジスタを実現する。【構成】 AlGaSb/InAs/AlGaSb量子井戸系での電子蓄積機構はAlGaSb障壁層1中の電子供給源は直接的にはドナーであるが、深いアクセプタとInAs量子井戸層2中の量子準位との位置関係が重要な役割を果たしている。InAs量子井戸層2中の量子準位がAlGaSb中の深いアクセプタ準位4によりもエネルギー的に高い構造を作製し、ノーマリーオフ状態を確認した。尚、この構造では、表面側のAlGaSb層を十分厚くして表面準位からの電子供給を抑制した。

Claim (excerpt)：

AlGaSb/InAs/AlGaSb量子井戸構造を有するエンハンスメント型の電界効果トランジスタであって、InAs井戸層の量子準位がAlGaSb層中のアクセプタ準位よりも高いことを特徴とするエンハンスメント型電界効果トランジスタ。