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J-GLOBAL ID:200903052765690620
イオン感知型電界効果トランジスタチップ
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
香取 孝雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993064703
Publication number (International publication number):1994308078
Application date: Aug. 24, 1984
Publication date: Nov. 04, 1994
Summary:
【要約】【目的】液体中のイオンを選択的に測定する測定装置のイオンセンサを保護するための保護装置に関する。【構成】イオン感知型電界効果トランジスタのゲート領域に密接してチップ上に露出して保護電極を有し、保護電極がイオン感知型電界効果トランジスタのゲート領域の周囲に配置された金属リング状に形成したイオン感知型電界効果トランジスタチップ。
Claim (excerpt):
イオン感知型電界効果トランジスタのゲート領域に密接してチップ上に露出して保護電極を有し、該保護電極が該イオン感知型電界効果トランジスタのゲート領域の周囲に配置された金属リング状に形成したことを特徴とするイオン感知型電界効果トランジスタチップ。
IPC (2):
G01N 27/414
, A61B 5/14 310
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