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J-GLOBAL ID：200903052775080405

半導体ヘテロ界面形成方法

Inventor： 丹羽 正昭
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995259759
Publication number (International publication number)：1997102459
Application date： Oct. 06, 1995
Publication date： Apr. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 トランジスタのヘテロ界面特性を向上させる。【解決手段】 従来法によるプロセス処理済みのシリコン基板10を超高真空チャンバー内にセットし、トランジスタを形成する活性領域において電子ビーム照射による局所加熱法で清浄表面12を得る。基板10を徐冷したのちにシリコンの表面原子が再配列し、表面にステップが現れた状態を示す。この状態で前記シリコン基板10を大気中に取り出し活性領域に形成された前記清浄表面12上に通常の熱酸化により極薄の熱酸化膜を形成する。本発明によれば、通常のシリコンプロセスで工程処理し、ゲート酸化前の洗浄工程をウェット処理から真空中の局所加熱清浄化処理に置き換えるだけで原子的に平滑で、清浄なヘテロ界面が形成される。

Claim (excerpt)：

真空中加熱などの方法で、表面原子の再配列による原子的平坦面を有するシリコン清浄表面に、吸着、堆積などの方法により別の物質構造を形成し、原子的に平坦な界面を得るヘテロ界面形成方法において、素子分離した活性領域に高エネルギビームを照射することにより、局所的に原子的に平坦なシリコン清浄表面を得ることを特徴とする半導体ヘテロ界面形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/165 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/316 S ,  H01L 29/165 ,  H01L 29/78 301 Y