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J-GLOBAL ID：200903052783272550

薄膜気相成長装置

Inventor： 篠崎 弘行 ,  福永 由紀夫 ,  村上 武司 ,  塚本 究
Applicant, Patent owner： 株式会社荏原製作所
Agent (1)： 渡邉 勇 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995174339
Publication number (International publication number)：1997003650
Application date： Jun. 16, 1995
Publication date： Jan. 07, 1997
Summary：

【要約】【目的】 基板の温度制御を迅速に行なうことができ、高誘電体の薄膜気相成長を望ましい条件下で行うことができる薄膜気相成長装置を提供する。【構成】 基板Sを外界と隔離した雰囲気内に収容する反応室3と、反応室3内において基板を支持する基板支持部材8と、成膜に必要な反応ガスを基板に向けて噴射する反応ガス供給手段6と、前記反応室3内の気体を外部に排出する排気手段4と、中空に形成されたロータ11を有し、前記基板を高速回転させる基板高速回転手段9と、前記基板の裏面側昇降自在に配置されたヒータ30と、前記ヒータを前記ロータ11の中空部を介して支持し、かつ昇降させるヒータ昇降機構とを有する。

Claim (excerpt)：

基板を外界と隔離した雰囲気内に収容する反応室と、反応室内において基板を支持する基板支持部材と、成膜に必要な反応ガスを基板に向けて噴射する反応ガス供給手段と、前記反応室内の気体を外部に排出する排気手段と、中空に形成されたロータを有し、前記基板を高速回転させる基板高速回転手段と、前記基板の裏面側に昇降自在に配置されたヒータと、前記ヒータを前記ロータの中空部を介して支持し、かつ昇降させるヒータ昇降機構と有するを特徴とする薄膜気相成長装置。

IPC (3)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (3)：

C23C 16/44 G ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 B