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J-GLOBAL ID：200903052801005263

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor： 佐々 道成 ,  加藤 久喜 ,  山崎 史郎 ,  梅崎 潤一
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992137713
Publication number (International publication number)：1993308154
Application date： Apr. 28, 1992
Publication date： Nov. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】GaN 系の化合物半導体の発光ダイオードの青色の発光強度の向上。【構成】N型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;X=0を含む) からなるN層と、P型不純物を添加したI型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN; X=0を含む) からなるI層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、I層を、N層4と接合する側から順に、成長温度1000〜1200°Cで厚さ0.1〜5 μmに形成されたZn濃度 1×1017〜 5×1018/cm3 の低不純物濃度IL 層5と、成長温度800 〜950°Cで厚さ0.1 〜 1μmに形成されたZn濃度 1×1019〜1×1021/cm3 の高不純物濃度IH 層6との二重層構造としたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

N型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlxGa1-XN;X=0を含む) からなるN層と、P型不純物を添加したI型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;X=0を含む) からなるI層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記I層を、前記N層と接合する側から順に、成長温度1000〜1200°Cで厚さ0.1〜5 μmに形成されたZn濃度 1×1017〜 5×1018/cm3 の低不純物濃度IL 層と、成長温度800 〜950°Cで厚さ0.1 〜 1μmに形成されたZn濃度 1×1019〜1×1021/cm3 の高不純物濃度IH 層との二重層構造としたことを特徴とする発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平3-252177
  
• 特開平3-252178