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J-GLOBAL ID：200903052803998162

シリコン酸化膜のウエツトエツチング方法

Inventor： 宮田 季丸
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 西田 新
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991195262
Publication number (International publication number)：1993041372
Application date： Aug. 05, 1991
Publication date： Feb. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ウェハへのダメージのない、しかも、容易にエッチング形状を制御できるウェットエッチングの方法を提供することを目的とする。【構成】 基板上に形成されたシリコン酸化膜に、バッファードフッ酸(NH4F/HF/)を薬液として用いたウェットエッチングを行う方法において、上記薬液のNH4Fの混合モル比を17%以上20%以下とする。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたシリコン酸化膜に、バッファードフッ酸(NH4F/HF/)を薬液として用いたウェットエッチングを行う方法において、上記薬液のNH4Fの混合モル比を17%以上20%以下とすることを特徴とするシリコン酸化膜のウェットエッチング方法。