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J-GLOBAL ID：200903052808498630

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 中 島 昭 ,  小 松 通 郎
Applicant, Patent owner： 触媒化成工業株式会社
Agent (1)： 鈴木 俊一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992118584
Publication number (International publication number)：1993315319
Application date： May. 12, 1992
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：

【要約】【構成】 特定のアルコキシシランを加水分解重縮合して得られるシリカゾル(A)と、このアルコキシシランまたはその部分加水分解物(B)との反応物を含み、かつイオン濃度が1.0ミリモル/リットル以下である被膜形成用塗布液から形成されたシリカ系絶縁膜を有する半導体装置、および陽イオン交換樹脂による処理と陰イオン交換樹脂による処理とを行なって被膜形成用塗布液中のイオン濃度を1.0ミリモル/リットル以下とする半導体装置の製造方法。【効果】 上記半導体装置には、クラックおよびボイド、ピンホールなどの欠陥がなく、緻密で、基材との密着性、機械的強度、耐薬品性、耐湿性、絶縁性などに優れ、しかも比誘電率が小さく、平坦性に優れたシリカ絶縁膜が形成されている。

Claim (excerpt)：

一般式Rn Si(OR’)4-n (式中、R、R’は炭素数1〜8のアルキル基、アリール基またはビニル基を表わし、nは0〜3の整数である。)で示されるアルコキシシランを加水分解重縮合して得られるシリカゾル(A)と、前記式で示されるアルコキシシランまたはその部分加水分解物(B)との反応物を含み、かつイオン濃度が1.0ミリモル/リットル以下である被膜形成用塗布液から形成されたシリカ系絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  C09D183/04 PMT ,  H01L 21/31