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J-GLOBAL ID：200903052809189916

半導体レーザ

Inventor： 鈴木 政勝 ,  上野山 雄
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995265206
Publication number (International publication number)：1997107149
Application date： Oct. 13, 1995
Publication date： Apr. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】 しきい値電流が小さく、光学利得が高い半導体レーザを提供する。【解決手段】 NGO(011)基板101の上に有機金属気相成長方等の結晶成長方法によってGaNバッファ層102を成長させ、続いてn型AlGaNクラッド層103、n型AlGaN光ガイド層104、AlGaN/GaN量子井戸構造による活性層105、p型AlGaN光ガイド層106、p型AlGaNクラッド層107を成長させ、その一部をn型AlGaN層までエッチングし、カソード電極108とアノード電極を形成する。発光110の方向を図のように選ぶと、TEモードでは光の電場ベクトル111がc面内に平行になる。したがって、上述の内容からc面内で光の進行方向に垂直な方向に圧縮歪112を加えることにより、低しきい値電流の半導体レーザおよび輝度の大きい指向性のある発光素子を得ることができる。

Claim (excerpt)：

c軸方向に成長させた活性層を有し、前記活性層が六方晶化合物半導体であり、かつ、前記活性層のc面内に、光の進行方向に垂直な方向に圧縮歪を生じさせる等方的でない歪が入っている半導体レーザ。