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J-GLOBAL ID：200903052809306378

電界効果トランジスタ

Inventor： 山口 豪 ,  福島 伸
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002089956
Publication number (International publication number)：2003289140
Application date： Mar. 27, 2002
Publication date： Oct. 10, 2003
Summary：

【要約】【課題】 ゲート絶縁膜に用いた金属シリケートにおける、組成の不均質化や微小結晶粒の析出を抑制することができ、MIS型トランジスタの歩留まり向上及び特性向上に寄与する。【解決手段】 シリコン基板101上に、Hfを10at%含むHfシリケートからなるゲート絶縁膜103を介してゲート電極104を形成したMIS型トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜103を構成するHfシリケートにMgを5at%添加した。

Claim (excerpt)：

シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成された、ジルコニウム,ハフニウム,ランタン,セリウム,イットリウム,ビスマス,プラセオジムの少なくとも一つを含むシリケートに、マグネシウム,カリウム,マンガンの少なくとも一つを添加してなるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を具備してなることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/316

FI (2)：

H01L 21/316 B ,  H01L 29/78 301 G

F-Term (36)：

5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC04 ,  5F058BC05 ,  5F058BF04 ,  5F058BF12 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF32 ,  5F140AA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BD13 ,  5F140BD17 ,  5F140BD18 ,  5F140BE05 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG11 ,  5F140BG31 ,  5F140BG32 ,  5F140BG37 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CA03 ,  5F140CB04 ,  5F140CC03