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J-GLOBAL ID：200903052812667616

フリップチップ型対面電極HEMT

Inventor： 大巻 雄治 ,  早村 光雄 ,  谷本 真士
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003107259
Publication number (International publication number)：2004319552
Application date： Apr. 11, 2003
Publication date： Nov. 11, 2004
Summary：

【課題】大電力トランジスタは放熱性が悪く、破壊されやすかった。さらに、素子結晶成長時のバッファ層からリーク電流やoff電流が流れる問題があった。【解決手段】保護膜42で覆われたソース電極41及びドレイン電極41が熱伝導性基板47上に接着材を介して接着されており、ゲート電極48がソース電極及びドレイン電極が載置される載置面に対向する裏面側に設けられ、ゲート電極が載置される前記裏面側の少なくともその一部がバッファ層を除去した凹部を有すると共に、その凹部にゲート電極が載置されるトランジスタである。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

少なくとも2つ以上の電極を有し、保護膜で覆われ接着剤を介して熱伝導性基板に接着される1つ以上の第一の電極と、該第一の電極とは異なる面側に載置された第二の電極を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L21/338 ,  H01L23/34 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

FI (3)：

H01L29/80 G ,  H01L23/34 A ,  H01L29/80 H

F-Term (24)：

5F036AA01 ,  5F036BB01 ,  5F036BC05 ,  5F036BD01 ,  5F102FA00 ,  5F102GA16 ,  5F102GA18 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GT03 ,  5F102GV03 ,  5F102GV05 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC21