セラミック多層配線基板の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996151649
Publication number (International publication number)：1997312476
Application date： May. 22, 1996
Publication date： Dec. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】Ag、Pd、Pt、Au、Cuなどの低融点金属を配線材料とし、ガラスとセラミック粉末のフィラ-とからなるガラスセラミックを絶縁材料とするセラミック多層配線基板の製造方法において、焼成時の配線材料と絶縁材料の焼成収縮する温度の差が大きいにもかかわらず、焼成された多層配線基板の反りや変形を少なくすること。【解決手段】1)配線部が印刷されたグリ-ンシ-ト積層体を、ガラスの軟化点をTs(°C)とする場合、(Ts-30)〜Tsの範囲の温度で焼成し予備焼成体とする予備焼成工程と2)前記予備焼成体を荷重をかけて焼成する本焼成工程とを有すること。

Claim (excerpt)：

Ag、Pd、Pt、Au、Cuのうちの少なくとも1種からなる導電用金属で形成される配線部と、ガラスとセラミック粉末のフィラ-とからなるガラスセラミックで形成される絶縁部とよりなるセラミック多層配線基板の製造方法において、1)配線部が印刷されたグリ-ンシ-ト積層体を、前記ガラスの軟化点をTs(°C)とする場合、(Ts-30)〜Tsの範囲の温度で焼成し予備焼成体とする予備焼成工程と2)前記予備焼成体を荷重をかけて焼成する本焼成工程とを有することを特徴とするセラミック多層配線基板の製造方法。

IPC (4)：

H05K 3/46 , H05K 1/03 610 , H05K 3/12 , H01B 1/16

FI (6)：

H05K 3/46 H , H05K 3/46 S , H05K 3/46 T , H05K 1/03 610 D , H05K 3/12 B , H01B 1/16 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭57-032657
特開昭52-140523
特開平4-334082

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