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J-GLOBAL ID：200903052854667977

配線形成方法および装置および配線形成用試料ホルダ

Inventor： 本郷 幹雄 ,  佐野 秀造 ,  上村 隆 ,  水越 克郎 ,  高田 敦仁 ,  小森谷 進
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992229717
Publication number (International publication number)：1994077259
Application date： Aug. 28, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】複数種類のCVD材料ガスを順次使用するレーザCVDにより半導体装置表面に配線を形成する場合に,チャンバ内に残留したCVD材料ガスの影響により膜質の劣化,成膜速度の低下を防止する。【構成】使用するCVD材料ガスのうち少なくとも他のCVD材料ガスに悪影響を及ぼすものは,半導体装置25を固定するホルダ上6に,レーザ光9を透過する部分を有しかつ密閉可能な蓋41を載置固定して,上記蓋41内部に上記CVD材料ガスを供給して閉じ込め,その状態でレーザCVDチャンバ1内に搬送してレーザ光9を照射して当該材料の膜を形成する。【効果】これにより,他のCVD材料ガスに影響を及ぼすCVD材料ガスがレーザCVDチャンバに触れることがないため残留することがなく,他のCVD材料ガスによる成膜時に膜質の劣化,成膜速度の低下の発生を防止することができる。

Claim (excerpt)：

複数種類のCVD材料ガスを順次密閉容器内に導入し,当該CVD材料ガス雰囲気中で半導体装置表面にレーザを集光して照射することで当該ガスを分解し当該材料を析出させて補修用の配線と絶縁膜を順次形成する方法において,当該CVD材料ガスのうち少なくとも一種類は上記密閉容器内に導入することなく,上記半導体装置を別な密閉容器内に載置して上記別な密閉容器内のみに当該CVD材料ガスを供給して閉じ込め,別の密閉容器内の半導体装置表面にレーザを集光照射し,当該CVD材料ガスが装置の他の部分を汚染することなく,当該CVD材料ガスを分解し,配線あるいは/および絶縁膜を形成することを特徴とする配線形成方法。