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J-GLOBAL ID:200903052860146105
シクロヘキサンの誘導体
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
川北 武長
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993250740
Publication number (International publication number):1994211711
Application date: Oct. 06, 1993
Publication date: Aug. 02, 1994
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】 分子末端にアルケニル基を有する、低粘度であり該化合物の添加により表示素子のしきい値電圧を低下できる新規な液晶材料を提供する。【構成】 一般式I(Xはフッ素原子またはトリフルオロメチル基、もしくはトリフルオロメトキシ基またはジフルオロメトキシ基を表す。ーA-は1,4ーシクロヘキシレン、1,4ーフェニレンであり、ーBーは1、4ーシクロヘキシレンであり、lは0、1または2を、mは0、1または2を示し、l+m≧1である。ZはーCH2 CH2 ーまたは単結合であり、nは0〜4の整数を表し、Rは水素原子または1〜7の直鎖状もしくは分岐鎖のアルキル基を表し、Rがアルキル基のとき二重結合はトランス配置である)の化合物。
Claim (excerpt):
一般式(I)【化1】(式中、Xはフッ素原子またはトリフルオロメチル基、もしくはトリフルオロメトキシ基またはジフルオロメトキシ基を表し、ーA-は1,4ーシクロヘキシレンまたは1,4ーフェニレン、ーBーは1,4ーシクロヘキシレンであり、lは0、1または2を、mは0、1または2を示し、l+m≧1であり、ZはーCH2 CH2 ーまたは単結合であり、nは0〜4の整数を表し、Rは水素原子または1〜7の直鎖状もしくは分岐鎖のアルキル基を表し、Rがアルキル基のとき二重結合はトランス配置である)で示されるシクロヘキサンの誘導体。
IPC (3):
C07C 25/18
, C07C 43/225
, C09K 19/30
Patent cited by the Patent:
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