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J-GLOBAL ID：200903052872626250

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 保田 広安
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 大島 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994095647
Publication number (International publication number)：1995283400
Application date： Apr. 08, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】 熱拡散により不純物を半導体基板に導入して低濃度拡散層を形成することで、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 半導体基板にゲート電極を形成し、該ゲート電極下以外のゲート酸化膜中にフッ素をイオン注入し、ゲート電極に接して不純物を含む導電性のゲート側壁を形成する。そして、熱処理によりこの側壁から半導体基板中に不純物を拡散させる。【効果】 熱拡散により不純物を半導体基板に導入して低濃度拡散層を形成することにより、接合深さが浅く、かつ接合部に欠陥の少ない高信頼性の半導体装置を得ることができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成されたフッ素を含有する絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された不純物を含有する不純物含有膜と、少なくとも前記不純物含有膜と前記絶縁膜とが接する領域との前記絶縁膜下の前記半導体基板中に形成され、かつ前記不純物含有膜と同じ不純物を含有する不純物拡散層とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336