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J-GLOBAL ID：200903052873904025

2次元半導体光結晶素子およびその製造方法

Inventor： 納富 雅也 ,  児玉 聡
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中村 純之助 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999032311
Publication number (International publication number)：2000232258
Application date： Feb. 10, 1999
Publication date： Aug. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】 作製を容易にし、また材料が限定されなくする。【解決手段】 GaAsからなりかつ周期的な垂直な穴17を有するすなわち2次元周期構造を有する半導体光結晶層13と表面にSiO2からなる低屈折率誘電体層14を有しかつGaAsからなる基板15とからなり、半導体光結晶層13と低屈折率誘電体層14とが平面接触されている。

Claim (excerpt)：

2次元周期構造を有する半導体光結晶層と少なくとも一方の表面に低屈折率誘電体層を有する基板とを有し、上記半導体光結晶層と上記低屈折率誘電体層とが平面接触していることを特徴とする2次元半導体光結晶素子。

F-Term (7)：

5F073AA36 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA22 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• フォトニックバンド構造を有する垂直共振器レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-108271   Applicant：キヤノン株式会社