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J-GLOBAL ID：200903052884556770

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 高木 万里子
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997124108
Publication number (International publication number)：1998312975
Application date： May. 14, 1997
Publication date： Nov. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 工程数の増加、オ-バ-エッチングのないコンタクト構造を得る。【解決手段】 素子分離膜22上には、エッチングストッパとして機能するシリコン窒化膜30が配置されている。MOSトランジスタのソ-ス・ドレイン拡散層28の一部には、チタンシリサイド層29が形成される。コンタクトホ-ルの内面には、窒化チタンとチタンの積層から構成されるバリアメタル33が形成される。金属配線34とソ-ス・ドレイン拡散層28の間には、Ti-Si-N系の合金からなる導電膜35が形成される。この導電膜35は、シリコン窒化膜30が、チタンシリサイド層29中又はバリアメタル33中のチタンと反応することによってできたものである。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板の表面領域に設けられる拡散層と、前記半導体基板上に設けられ、前記拡散層上にコンタクトホ-ルを有する層間絶縁膜と、前記半導体基板と前記層間絶縁膜の間に設けられるエッチングストッパ用絶縁膜と、前記コンタクトホ-ル直下の前記拡散層中に設けられるシリサイド層と、前記コンタクトホ-ル内に設けられる配線層と、前記シリサイド層と前記配線層の間に設けられ、少なくとも前記エッチングストッパ用絶縁膜を構成する原子及び前記シリサイド層中の金属原子を含む組成を有する合金化層とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/90 A ,  H01L 27/08 321 F ,  H01L 29/78 301 P