デバイスの製造方法及びレジスト材料

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三俣弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998057221
Publication number (International publication number)：1998307401
Application date： Mar. 09, 1998
Publication date： Nov. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】波長193nmの暴露輻射線によるリソグラフィ方法で使用できる新規なレジスト材料を提供する。【解決手段】レジスト材料はポリマーと共に溶解抑制剤及び光酸生成剤を含有する。溶解抑制剤は1個以上のOH置換基を有する飽和多環式炭化水素化合物と二官能価(該官能基はカルボン酸又はカルボン酸ハロゲン化物基である)飽和線状、枝分れ状又は環状炭化水素化合物との縮合反応生成物である。ポリマーは場合により酸不安定性基(該基はポリマーの塩基水溶液への溶解度を著しく低下させる)を有する。レジスト材料層を基板上に形成し、輻射線で暴露する。輻射線はレジスト材料中に、塩基水溶液に可溶性の露光部分と不溶性の非暴露部分とを生じる化学変化を起こさせる。レジスト材料中の描画された像を現像し、得られたパターンを下部の基板へ転写する。

Claim (excerpt)：

(a)基板上にエネルギー感応性レジスト材料層を形成するステップと、ここで、前記エネルギー感応性レジスト材料は、光酸生成剤、ポリマー及び溶解抑制剤からなり、前記溶解抑制剤は、少なくとも1個のヒドロキシ(OH)置換基を有する飽和多環式炭化水素化合物と、線状炭化水素類、枝分れ炭化水素類及び環状炭化水素類からなる群から選択される二官能価炭化水素化合物との縮合反応生成物からなり、官能基はカルボン酸基又はカルボン酸ハロゲン化物基の何れかであり、前記縮合反応生成物は少なくとも2個の多環式部分と少なくとも1個のカルボン酸基からなる置換基を有し、該カルボキシル基の水素原子は酸不安定性基により置換されている、(b)エネルギー感応性レジスト材料層を、紫外線、X線、電子線からなる群から選択されるパターン輻射線に暴露させ、これにより、パターン画像を前記レジスト材料層中に描画するステップと、(c)画像をパターンに現像するステップと、及び(d)パターンを下部の基板に転写するステップと、からなることを特徴とするデバイスの製造方法。

IPC (2)：

G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (2)：

G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

遠紫外線露光用フォトレジスト組成物およびその使用方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-128606 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
ポジ型レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-300372 Applicant：信越化学工業株式会社, 日本電信電話株式会社
レジスト組成物とレジストパターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-239871 Applicant：富士通株式会社

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