Pat

J-GLOBAL ID：200903052899606294

薄膜超電導体の製造方法及びその製造装置

Inventor： 鎌田 健 ,  北川 雅俊 ,  林 重徳 ,  小牧 一樹 ,  平尾 孝
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993075573
Publication number (International publication number)：1994291375
Application date： Apr. 01, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 良質で高性能な酸化物超電導体を薄膜化することのできる薄膜超電導体の製造方法及びその製造装置を提供する。【構成】 真空槽1を、スパッタ堆積室2と酸素イオン・プラズマ源を有する酸化処理室3との2つの機構によって構成する。スパッタ堆積室2内に、焼結した酸化物超電導体材料をターゲット5として設置し、高周波電源20を用いることによって高周波電界を印加する。酸化処理室3にイオン・プラズマ発生室19を連結し、該イオン・プラズマ発生室19を導波管18を介してマイクロ波源17に連結する。基体ホルダー7を回転させることにより、基体6がターゲット5の直上及び酸素イオン・プラズマ源を交互に通過するようにする。

Claim (excerpt)：

真空槽内に基体を設置し、前記基体上に酸化物薄膜超電導体を気相成長させる薄膜超電導体の製造方法であって、前記基体の温度を結晶性薄膜が得られる温度に保持した状態で基体上に薄膜を堆積させる工程と、非堆積中に堆積薄膜に対して酸素イオンあるいは酸素プラズマを照射させる工程とを交互に繰り返すことを特徴とする薄膜超電導体の製造方法。

IPC (3)：

H01L 39/24 ZAA ,  C23C 14/22 ,  C23C 14/34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-100753
  
• 袋織エアバツグ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-234487   Applicant：旭化成工業株式会社
• エアバッグ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-016949   Applicant：東レ株式会社