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J-GLOBAL ID：200903052904362099
安定化層を備えた酸化物超電導テープの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
志賀 正武
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993221468
Publication number (International publication number)：1995073759
Application date： Sep. 06, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、長尺ものにおいても十分な厚さの安定化層を短時間で形成でき、製造途中に酸化物超電導層に十分な酸素を供給して製造途中に酸化物超電導層を劣化させることがない製造方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明はテープ状の基材1上に成膜法で中間層2と酸化物超電導層3を形成し、この酸化物超電導層3上に成膜法によりAgなどの貴金属またはその合金からなる良導電性の下地安定化薄膜4を形成して素導体5を構成し、次にこの素導体5を酸素雰囲気中で1次熱処理して雰囲気中の酸素を下地安定化薄膜4を介して酸化物超電導層3に供給し、酸化物超電導層3と下地安定化薄膜4の界面抵抗を下げ、続いて下地安定化薄膜4上にメッキ法によりCuあるいはAlなどの良導電性金属材料の安定化層6を形成し、この後に不活性ガス雰囲気中で最終熱処理して下地安定化薄膜4と安定化層6との界面抵抗を下げるものである。
Claim (excerpt)：
テープ状の基材上に成膜法により中間層と酸化物超電導層を形成し、次いでこの酸化物超電導層上に成膜法によりAgなどの貴金属またはその合金からなる良導電性の下地安定化薄膜を形成して素導体を構成し、次いでこの素導体を酸素雰囲気中において1次熱処理して雰囲気中の酸素を下地安定化薄膜を介して酸化物超電導層に供給するとともに酸化物超電導層と下地安定化薄膜との界面抵抗を下げ、続いて前記下地安定化薄膜上にメッキ法によりCuあるいはAlなどの良導電性金属材料からなる安定化層を形成し、この後に不活性ガス雰囲気中において最終熱処理して下地安定化薄膜と安定化層との界面抵抗を下げることを特徴とする安定化層を備えた酸化物超電導テープの製造方法。
IPC (2)：
H01B 13/00 565
, H01B 12/06 ZAA
