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J-GLOBAL ID：200903052905537798

IC化温度センサ

Inventor： 菊地 栄
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立東部セミコンダクタ株式会社
Agent (1)： 大日方 富雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996037638
Publication number (International publication number)：1997229778
Application date： Feb. 26, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】 標準MOSプロセスで製造可能な低コストな構成でもって、直線性や再現性等の測定特性および低消費電力性にすぐれたモノリシック型のIC化温度センサを得る。【解決手段】 温度センサ部と測定回路部とが単一半導体基板に集積形成されたIC化温度センサにあって、測定回路部をMOSトランジスタで構成するとともに、温度センサ部をMOSトランジスタの素子構造によって形成される寄生バイポーラ・トランジスタまたは寄生pn接合ダイオードで構成する。

Claim (excerpt)：

バイポーラ・トランジスタまたはpn接合ダイオードを用いた温度センサ部と、このセンサ部に現れる温度電気変化を検出して出力する測定回路部とが単一半導体基板に集積形成されたIC化温度センサであって、上記測定回路部をMOSトランジスタで構成するとともに、上記センサ部をMOSトランジスタの素子構造によって形成される寄生バイポーラ・トランジスタまたは寄生pn接合ダイオードで構成したことを特徴とするIC化温度センサ。