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J-GLOBAL ID：200903052915369028
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松田 和子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992083509
Publication number (International publication number)：1994077407
Application date： Apr. 06, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：
【要約】【目的】 インダクタを形成可能な半導体装置を得ることである。【構成】 11はシリコン基板である。除去領域12は、シリコン基板11の一部を空洞状に除去したものであり、空洞でもよいし空洞部に酸化シリコン等の複素誘電率が低い絶縁材料を埋込んだものでもよい。絶縁層13は、除去領域12およびその周囲に形成されている。配線層14は、インダクタの一方の引出し線となるものであり、金属やド-プトポリシリコン等の導電材料を用いて形成される。層間絶縁層15には、コンタクトホ-ル15aが形成されている。配線層16は、インダクタおよびインダクタの他方の引出し線となるものであり、金属等の導電材料を用いて形成される。17は保護絶縁層ある。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、上記半導体基板の一部を空洞状に除去した第1領域と、上記半導体基板の主面側に形成された絶縁膜と、上記絶縁膜を介して上記第1領域と反対側に導電材料を用いて形成され、インダクタとして機能する配線層とを有する半導体装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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