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J-GLOBAL ID：200903052920146479

含フッ素2級アミン化合物の製造方法

Inventor： 菊川 靖雄 ,  三村 英之 ,  河田 恒佐
Applicant, Patent owner： 東ソ-・エフテック株式会社 ,  有限会社 サイエンス シエンツア
Agent (3)： 水野 勝文 ,  岸田 正行 ,  高野 弘晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006195545
Publication number (International publication number)：2008024602
Application date： Jul. 18, 2006
Publication date： Feb. 07, 2008
Summary：

【課題】毒性の高い還元剤を使用せずに、1級アミン化合物と含フッ素アルデヒドヘミアセタールから、含フッ素2級アミン化合物を高収率で製造する方法を提供する。【解決手段】含フッ素アルデヒドヘミアセタールと1級アミン化合物を反応させ、N,O-アセタール化合物を生成させた後、還元剤と反応させることを特徴とする含フッ素2級アミン化合物の製造方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)

IPC (8)：

C07C 209/68 ,  C07C 213/00 ,  C07C 217/84 ,  C07C 227/16 ,  C07C 229/60 ,  C07C 253/30 ,  C07C 255/58 ,  C07C 211/52

FI (8)：

C07C209/68 ,  C07C213/00 ,  C07C217/84 ,  C07C227/16 ,  C07C229/60 ,  C07C253/30 ,  C07C255/58 ,  C07C211/52

F-Term (18)：

4H006AA02 ,  4H006AB84 ,  4H006AC52 ,  4H006BA25 ,  4H006BA66 ,  4H006BB14 ,  4H006BB41 ,  4H006BC10 ,  4H006BD70 ,  4H006BE20 ,  4H006BE23 ,  4H006BJ50 ,  4H006BM10 ,  4H006BM71 ,  4H006BT32 ,  4H006BU46 ,  4H039CA71 ,  4H039CD30

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

• WO 02/24663号パンフレット
  
• WO 02/12235号パンフレット
  
• ピラゾール化合物
  Gazette classification：再公表公報   Application number：JP2003012254   Applicant：宇部興産株式会社
• 欧州特許 第156470号明細書
  
• WO 01/16108号パンフレット
  
• WO 02/066475号パンフレット
  
• WO 05/085185号パンフレット
  

Cited by examiner (2)

• 置換2-トリフルオロメチル-2,3-ジヒドロベンズイミダゾール類、その製造法およびそれを有効成分とする除草剤
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-178264   Applicant：工業技術院長
• 2,2,2-トリフルオロエタノール酸化用触媒およびトリフルオロアセトアルデヒドの製造方法
  Gazette classification：再公表公報   Application number：JP2005021834   Applicant：東ソ-・エフテック株式会社