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J-GLOBAL ID：200903052925098502

放射線検出装置及び放射線撮像システム

Inventor： 望月 千織
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002170126
Publication number (International publication number)：2004015000
Application date： Jun. 11, 2002
Publication date： Jan. 15, 2004
Summary：

【課題】MIS型PDを用いたFPDでは、MIS型PDとスイッチTFTの両デバイス特性を単独に改善可能なデバイス構成を提案し、PIN型PDを用いたFPDでは、高歩留まり、低価格を実現する放射線検出装置を提供する。【解決手段】スイッチTFTを配列した第1の絶縁基板1と、光電変換素子を配列した第2の絶縁基板19を、導電性接着剤20を介して互いに貼り合わせる。X線は、蛍光体18に入射し、可視光に変換され、MIS型PDの半導体層12に入射して光電変換され、PD内に蓄積される。スイッチTFTのゲート電極2にON電圧が印加されると、PD内に蓄積された電荷は、導電性接着剤20を介して、信号線9から出力として読み出される。開口率を大幅に増大させ、基板周辺部で封止し、その空間を気密構造とし、信号線に対する寄生容量を減少させ、低ノイズの高品位FPDを実現する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

スイッチTFTを配列した第1の基板と、光電変換素子を配列した第2の基板とを備え、 前記第1の基板と第2の基板とが互いに貼り合わされ、前記スイッチTFTのソース、もしくはドレイン電極と光電変換素子とが導電性部材で接続されていることを特徴とする放射線検出装置。

IPC (6)：

H01L27/146 ,  G01T1/00 ,  G01T1/20 ,  H01L27/14 ,  H01L31/09 ,  H04N5/32

FI (7)：

H01L27/14 C ,  G01T1/00 B ,  G01T1/20 B ,  G01T1/20 E ,  H04N5/32 ,  H01L27/14 K ,  H01L31/00 A

F-Term (40)：

2G088EE01 ,  2G088EE29 ,  2G088FF02 ,  2G088FF04 ,  2G088GG19 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ33 ,  2G088JJ37 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA05 ,  4M118CA07 ,  4M118CA14 ,  4M118CA32 ,  4M118CB06 ,  4M118CB11 ,  4M118FB03 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB24 ,  5C024AX11 ,  5C024AX16 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024CY48 ,  5C024EX21 ,  5C024GX09 ,  5F088AA03 ,  5F088AB03 ,  5F088BA02 ,  5F088BA03 ,  5F088BA16 ,  5F088BA18 ,  5F088BB03 ,  5F088BB07 ,  5F088CA02 ,  5F088EA08 ,  5F088GA02 ,  5F088JA20 ,  5F088KA08