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J-GLOBAL ID：200903052928677570

プラズマ発生装置

Inventor： 横川 賢悦 ,  水谷 巽
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995072754
Publication number (International publication number)：1996274067
Application date： Mar. 30, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：

【要約】【目的】プラズマ発生部を持つ装置において、プラズマ発生用電磁波を真空容器に導入する電磁波導入部の真空側での堆積物を低減し、電磁波の透過特性の安定化と気相中成分の安定化を実現する。【構成】電磁波導入部1の石英にセラミックスをコーテイングし、セラミックスに赤外領域の光を石英棒7、反射板9による集光で照射し、加熱する機構を設けた。更に、電磁波導入部1に冷却ガスを吹き付ける部15、温度計測15、温度計測14による計測値を参照し、赤外領域の光量を調節する機構12を設け、赤外領域の光による加熱と冷却ガスによる冷却を組合せ幅広い範囲で電磁波導入部の温度制御を行なう。【効果】電磁波に影響を除き、電磁波導入部の温度制御が可能となり、プラズマによる電磁波導入部の堆積を低減でき、堆積物による電磁波導入部の電磁波透過特性と気相中成分の不安定化が低減できる。

Claim (excerpt)：

電磁波を真空容器の電磁波導入部を介し真空容器内に導入し、該電磁波によりプラズマを形成するプラズマ発生装置において、該電磁波導入部に赤外領域の光を照射して該電磁波導入部を加熱する加熱手段を設けたことを特徴とするプラズマ発生装置。

IPC (5)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/302 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 A