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J-GLOBAL ID：200903052930903103

積層型光電変換装置及びその製造方法

Inventor：
佐々木 敏明

About 佐々木 敏明

, 
小井 洋平

About 小井 洋平

, 
山本 憲治

About 山本 憲治


Applicant, Patent owner：
株式会社カネカ

About 株式会社カネカ


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003279493
Publication number (International publication number)：2005045129
Application date： Jul. 24, 2003
Publication date： Feb. 17, 2005
Summary：
【課題】 本発明は、光電変換装置に入射した光を光電変換装置内で反射させて有効に吸収する手段を備えた積層型光電変換装置および集積型薄膜光電変換モジュールを低コストで提供することを目的とする。【解決手段】 本発明によると、pin接合からなる光電変換ユニットを複数含む積層型光電変換装置において、光入射側に近い側から第一の光電変換ユニット、シリコン複合層、第二の光電変換ユニットより順次構成された部分を少なくとも一つ以上含み、前記シリコン複合層はシリコンと酸素の非晶質合金中にシリコン結晶相を含むことを特徴とすることによって課題を解決する。光電変換ユニットと同様の製膜装置でシリコン複合層は作製可能である。【選択図】 図6
Claim (excerpt)：
pin接合からなる光電変換ユニットを複数含む積層型光電変換装置において、光入射側に近い側から第一の光電変換ユニット、一導電型のシリコン複合層、第二の光電変換ユニットより順次構成された部分を少なくとも一つ以上含む積層型光電変換装置であって、前記シリコン複合層は、シリコンと酸素との非晶質合金中にシリコン結晶相を含むことを特徴とする積層型光電変換装置。
IPC (1)：
H01L31/04
FI (1)：
H01L31/04 W
F-Term (8)：
5F051AA05 ,  5F051DA04 ,  5F051DA15 ,  5F051DA18 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (13)
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