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J-GLOBAL ID：200903052947674507

化合物半導体超微粒子の製造方法

Inventor： 齊田 壮一郎
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001357005
Publication number (International publication number)：2003160336
Application date： Nov. 22, 2001
Publication date： Jun. 03, 2003
Summary：

【要約】【課題】 半導体原料が反応器に入る前の好ましくない事前の反応を抑制し、且つ、大量に半導体微粒子を製造製造する方法を提供する。【解決手段】 ホットソープ法により化合物半導体超微粒子を管型流通反応器を用いて製造する方法において、同期表の第11〜13族の元素を含有する原料と第15〜17族の元素を含有する原料を独立して反応器に供給することを特徴とする化合物半導体超微粒子の製造方法。

Claim (excerpt)：

ホットソープ法により化合物半導体超微粒子を管型流通反応器を用いて製造する方法において、周期表の第11〜13族の元素を含有する原料と第15〜17族の元素を含有する原料を独立して反応器に供給することを特徴とする化合物半導体超微粒子の製造方法。

IPC (2)：

C01G 11/02 ,  C09K 11/08

FI (2)：

C01G 11/02 ,  C09K 11/08 A

F-Term (6)：

4G047BA01 ,  4G047BB01 ,  4G047BC02 ,  4G047BD04 ,  4H001CA01 ,  4H001CF01