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J-GLOBAL ID：200903052951430060

超電導デバイス

Inventor： 西野 壽一 ,  川辺 潮 ,  樽谷 良信 ,  会田 敏之 ,  深沢 徳海 ,  小南 信也 ,  波多野 睦子
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998174326
Publication number (International publication number)：1999031852
Application date： Feb. 24, 1988
Publication date： Feb. 02, 1999
Summary：

【要約】【目的】高感度で高速の光検出デバイスを提供する。【構成】超電導体に弱結合部を設け、超電導体の結晶のc軸と電流の流れる方向とが垂直となるようにする。さらに、超電導体の弱結合部に接して光導電性半導体を設ける。

Claim (excerpt)：

弱結合部を有する超電導体を含んで構成され、上記超電導体の結晶のc軸と電流の流れる方向とが垂直であることを特徴とする超電導デバイス。

IPC (2)：

H01L 39/22 ZAA ,  H01B 12/00 ZAA

FI (2)：

H01L 39/22 ZAA G ,  H01B 12/00 ZAA

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭63-306677