Pat
J-GLOBAL ID:200903052957908069

赤外線センサ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中尾 俊輔 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000018329
Publication number (International publication number):2001208606
Application date: Jan. 27, 2000
Publication date: Aug. 03, 2001
Summary:
【要約】【課題】 高い機械的強度を有し、かつ高感度、高応答性の赤外線センサを得ること。【解決手段】 シリコン基板1上の一部に形成した多孔性酸化シリコン層2上に、感温素子の少なくとも一部を形成する。
Claim (excerpt):
シリコン基板上の一部に形成した多孔性酸化シリコン層上に、感温素子の少なくとも一部を形成したことを特徴とする赤外線センサ。
IPC (3):
G01J 1/02 ,  G01J 5/02 ,  H01L 27/14
FI (3):
G01J 1/02 R ,  G01J 5/02 B ,  H01L 27/14 K
F-Term (20):
2G065AA04 ,  2G065AB02 ,  2G065BA11 ,  2G065BA12 ,  2G065BA13 ,  2G065BA14 ,  2G065CA13 ,  2G066BA01 ,  2G066BA08 ,  2G066BA09 ,  2G066BB09 ,  4M118AA01 ,  4M118AB10 ,  4M118CA16 ,  4M118CA40 ,  4M118CB13 ,  4M118EA20 ,  4M118FC01 ,  4M118FC15 ,  4M118GA10

Return to Previous Page