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J-GLOBAL ID：200903052967220910

エッチング方法

Inventor： 大森 暢彦 ,  松尾 洋
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993137466
Publication number (International publication number)：1994349788
Application date： Jun. 08, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 特にハロゲンガスあるいはハロゲン化合物ガスのプラズマを用いてエッチングする際においても、エッチング時の選択比を向上させ、目的とする加工形状を簡単且つ確実に得られるエッチング方法を提供する。【構成】 薄膜層を所望の材料構造にエッチングにより形成する際に、予め薄膜層3形成する時に、薄膜層3に内在するエッチングしたくない部分1の表面部を炭素化合物化処理して絶縁性炭素化合物層または絶縁性炭素化合物が分散した層2を形成し、その後残る成膜工程を施し、エッチングする。

Claim (excerpt)：

エッチングにより所望の材料構造を形成する薄膜層において、上記薄膜層内に内在するエッチングしたくない部分の、少なくともエッチング除去する部分との界面部に絶縁性炭素化合物層または絶縁性炭素化合物が分散した層を設けたことを特徴とする薄膜層。