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J-GLOBAL ID：200903052976377449

スパッタリング装置

Inventor： 佐野 洋
Applicant, Patent owner： 山口日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993107855
Publication number (International publication number)：1994322539
Application date： May. 10, 1993
Publication date： Nov. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】枚葉式のスパッタリング装置において、形成される膜の均一性及び再現性の向上を図る。【構成】成膜処理中のウェーハを保持する基板ホルダ5に膜の電気抵抗を測定する接触及び離脱が自在な測定子12,13と、測定子12,13と接続する抵抗測定器8を設け、成膜中に随時電気抵抗を測定し、この電気抵抗値を成膜の膜厚の指標として成膜中の諸条件に適正な補正を加えながら成膜する。

Claim (excerpt)：

半導体基板を載置する基板ホルダ及びヒータと、これら基板ホルダ及びヒータを収納するチャンバと、チャンバ内に導入するガスの流量を制御するマスフローコントローラを備えるスパッタリング装置において、前記半導体基板面に接触及び離脱が自在な複数の接触子と、これら接触子と接続する電気抵抗測定器と備え、成膜中に膜の電気抵抗値を指標として前記ヒータ及び流量並びにスパッタ電力を制御することを特徴とするスパッタリング装置。

IPC (3)：

C23C 14/54 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/203