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J-GLOBAL ID：200903052982005103

レジスト残渣物の除去方法

Inventor： 菅野 至
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991317768
Publication number (International publication number)：1993152268
Application date： Dec. 02, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の製造工程におけるレジスト残渣物の除去処理において、純水洗浄時に生じる配線膜の腐食を防止する。【構成】 有機溶剤、酸アルカリ薬液による洗浄の後、酸素ガスやオゾンガスの酸化剤を混入した純水による洗浄を行い、その後乾燥を行う。【効果】 配線膜の表面に形成されたアルミ酸化膜が配線膜の腐食を抑制する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された絶縁膜に、上記絶縁膜の下層の配線膜に至るコンタクトホールを形成する際に生じるレジスト残渣物を除去する方法において、有機溶剤、酸アルカリ薬液による洗浄の後、酸化剤を混入した純水による洗浄を行い、その後乾燥を行うようにしたことを特徴とするレジスト残渣物の除去方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 361