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J-GLOBAL ID：200903052994882967

半導体記憶装置

Inventor： 鳥居 和功 ,  武田 英次
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992053298
Publication number (International publication number)：1993259389
Application date： Mar. 12, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】分極反転よる信頼性低下の問題を回避し、half VDD plate方式を採用することが可能な高誘電率材料を用いた、信頼性の高いDRAMメモリセルを提供する。【構成】固溶体(xBaZrO3・(1-x) PbTiO3)で、BaZrO3が45%以上含まれる固溶体薄膜16をキャパシタ絶縁膜として用いる。【効果】構造の簡単で微細なメモリセルで十分な蓄積電荷量を確保することが出来、かつ、half VDD plate方式を採用することが可能な、高信頼性のDRAMメモリセルを実現できる。

Claim (excerpt)：

一つのスイッチ用トランジスタと、一つの電荷蓄積容量を有するメモリセルを含む半導体記憶装置であって、該電荷蓄積容量の絶縁膜にジルコン酸バリウムとチタン酸鉛の固溶体(x(BaZrO3)・1-x(PbTiO3))の薄膜を用いたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2)：

H01L 27/04 ,  H01L 27/108

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-080562
  
• 特開平3-019373
  
• 特開平3-080562
  
• 特開平3-019373